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2SA1943RTU
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2SA1943RTU 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:双极性晶体管
封装:TO-264-3
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
PDF文件:2SA1943RTU 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
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2SA1943RTU 数据手册 (6 页)
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2SA1943RTU 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率30 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
极性PNP
功耗150 W
击穿电压(集电极-发射极)250 V
集电极最大允许电流17A
最小电流放大倍数55 @1A, 5V
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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2SA1943RTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
高度26 mm
工作温度-50℃ ~ 150℃ (TJ)
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2SA1943RTU 数据手册

2SA1943RTU 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.47 MByte
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