| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -230 V |
| 额定电流 | -15.0 A |
| 封装 | TO-3-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 130 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 230 V |
| 集电极最大允许电流 | 15A |
| 最小电流放大倍数 | 80 @1A, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 160 |
| 额定功率(Max) | 130 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 130 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 4.8 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 230 V 15 A 30MHz 130 W 通孔 TO-3P（N）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅 晶体管 TO-3P
ON Semiconductor（安森美）
2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延 硅 晶体管 TO-3P
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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