| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -12V |
| 集电极最大允许电流 | -0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 270 |
| 最大电流放大倍数 | 680 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 260MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial Transistor Low frequency transistor Applications For switching, for muting. Features collector current is large. Collector saturation voltage is low. 描述与应用| PNP硅外延晶体管 低频晶体管 应用 对于开关，静音。 特点 集电极电流大。 集电极饱和电压低。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.13 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
