| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-723 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -50V |
| 集电极最大允许电流 | -0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 120 |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar type General purpose transistor Features Excellent hFE linearity Complements the 2SC5658 描述与应用 | PNP硅外延平面型 通用晶体管 特点 优秀HFE线性 补充2SC5658
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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