类型 | 描述 |
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封装 | SOT-89 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~500 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar type Applications High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Features • High DC current gain. • Low collector-emitter saturation voltage. • High-speed switching. 描述与应用| PNP硅外延平面型 应用 高速开关应用 DC-DC转换器应用特点 •高直流电流增益。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.15 MByte
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