| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~500 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -270mV/-0.27V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar type High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain; • Low collector-emitter saturation; • High-speed switching 描述与应用 | PNP硅外延平面型 高速Swtching应用 DC-DC转换器应用 •高直流电流增益; •低集电极 - 发射极饱和; •高速开关
Toshiba（东芝）
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