Datasheet 搜索
> Renesas Electronics(瑞萨电子) > 2SB1001BJTR-E Datasheet 文档
¥ 12.817
来自 AiPCBA
2SB1001BJTR-E 数据手册 - Renesas Electronics(瑞萨电子)
制造商:
Renesas Electronics(瑞萨电子)
封装:
UPAK
描述:
PNP硅外延 Silicon PNP Epitaxial
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2SB1001BJTR-E 数据手册
暂未收录 2SB1001BJTR-E 的数据手册
如有需要,欢迎向管理员发送补充文档请求
申请补充文档
2SB1001BJTR-E 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图
2SB1001BJTR-E 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
UPAK
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
16 V
集电极最大允许电流
2A
2SB1001BJTR-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
2SB1001BJTR-E 符合标准
2SB1001BJTR-E 数据手册
2SB1001BJTR-E
其他数据使用手册
Renesas Electronics(瑞萨电子)
8 页 / 0.09 MByte
2SB1001 数据手册
2SB1001
数据手册
HITACHI(日立)
2SB1001
BJ
数据手册
HITACHI(日立)
2SB1001BJ PNP三极管 -20V -2A 150MHz 160~320 -300mV/-0.3V SOT-89/SC-62 marking/标记 `BJ 低频功率放大器
2SB1001
BJTR-E
数据手册
Renesas Electronics(瑞萨电子)
PNP硅外延 Silicon PNP Epitaxial
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
AM3358BZCZ100
AD595AQ
TPIC6B595N
STM32F746IGT6
GRM1555C1H101JA01D
SMAJ58CA
MC34063ADR
MMBD7000LT1G
MCIMX6Y2CVM08AB
更多热门型号文档
RWR81S1R50FSB12
B260
ATSAME70-XPLD
SN65LBC170DBRG4
J310
PMR18EZPFU8L00
ADXL1001BCPZ-RL7
A80960CA16
DE2E3KY472MNAAM02
AD22050R
热门型号
ATV320U15N4C
ATV320U40N4C
STM8S103F3P6
IGCM15F60GA
ATV12H075M2
IKCM15F60GA
METSEPM5110
ATS01N222QN
N76E003AT20
TM221CE40R