集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.12 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SC-62
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
中等功率晶体管（ -32V ，我?? -1A ） Medium Power Transistor (-32V,ï -1A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -40V -1A 150MHz 180~390 -500mV SOT-89 代码 BAR
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -40V -1A 150MHz 120~270 -500mV SOT-89 代码 BAQ
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -40V -1A 150MHz 82~180 -500mV SOT-89 代码 BAP
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
