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2SB1188T100R
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2SB1188T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:双极性晶体管
封装:MPT-3
描述:PNP -32V -2A功率晶体管
PDF文件:2SB1188T100R 数据手册 (4 页)
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2SB1188T100R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-32.0 V
额定电流-2.00 A
封装MPT-3
额定功率2 W
极性PNP
功耗500 mW
击穿电压(集电极-发射极)32 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数180 @500mA, 3V
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)82
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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2SB1188T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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2SB1188T100R 数据手册

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