| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-346 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Features Low VCE(sat) High breakdown voltage. Complements to 2SD1782K. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 低VCE（六） 高击穿电压。 补充型2SD1782K。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 180 MHz, 200 mW, -500 mA, 120 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -80V -500mA 180MHz 180~390 -500mV SOT-23 代码 AKR 高击穿电压
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -80V -500mA 180MHz 120~270 -500mV SOT-23 代码 AKQ 高击穿电压
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