| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 2000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 120 @100mA, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 2.5 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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功率晶体管（ ???? 80V ，Ⅰ ???? 1A） Power Transistor (â80V, â1A)
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2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源 晶体管 - SC-62
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 180~390 -400mV SOT-89 代码 BER 高击穿电压
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -80V -1A 100MHz 120~270 -400mV SOT-89 代码 BEQ 高击穿电压
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 82~180 -400mV SOT-89 代码 BEP 高击穿电压
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