| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | PNP, P-Channel |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements to 2SD1898. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高击穿电压和高电流。 2）良好的HFE线性。 3）低VCE（sat）的。 4）补充型2SD1898。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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功率晶体管（ ???? 80V ，Ⅰ ???? 1A） Power Transistor (â80V, â1A)
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
PNP三极管 -80V -1A 100MHz 120~270 -400mV SOT-89 代码 BEQ 高击穿电压
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 82~180 -400mV SOT-89 代码 BEP 高击穿电压
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