类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -80.0 V |
额定电流 | -1.00 A |
封装 | MPT-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
最小电流放大倍数 | 180 @100mA, 3V |
最大电流放大倍数 | 390 |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3
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功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor (â80V, â1A)
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2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源 晶体管 - SC-62
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 180~390 -400mV SOT-89 代码 BER 高击穿电压
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 120~270 -400mV SOT-89 代码 BEQ 高击穿电压
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PNP三极管 -80V -1A 100MHz 82~180 -400mV SOT-89 代码 BEP 高击穿电压
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