| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -5.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 1000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
| 最小电流放大倍数 | 120 @500mA, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2118. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2118。
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低频晶体管（ -20V ， -5A ） Low frequency transistor (−20V,−5A)
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2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63
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