集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -5.5mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 160~320 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −550mV/-0.55V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Features Low VCE(sat) Complementary to 2SD2402 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 特点 低VCE(饱和) 补充型2SD2402
NEC(日本电气)
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