2SC2532 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 10000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN Silicon epitaxial Transistors Audio frequency amplifier applications Driver stage for led lamp applications Temperature compensation applications Features High hFE 描述与应用| NPN硅外延晶体管 音频放大器应用 驱动LED灯应用阶段 温度补偿的应用 特点 高HFE