| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | S-Mini |
| 耗散功率(Max) | 150 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 350~700 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | NPN Silicon epitaxial Transistors. Audio frequency general purpose amplifier applications . Features: High voltage and high current, Excellent hFE linearity, High hFE, Low noise, Small package, Complementary to 2SA1162. 描述与应用 | NPN硅外延晶体管, 音频通用放大器. 特点: 高电压和高电流, 优秀HFE线性, 高HFE, 低噪音, 小型封装, 互补2SA1162.
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Micro Commercial Components（美微科）
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Toshiba（东芝）
2SC2712-GR NPN三极管 60V 150mA/0.15A 80MHz 200~400 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 LG 音频通用放大器
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