集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 350~700 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN Silicon epitaxial Transistors Audio frequency general purpose amplifier applications Features High voltage Excellent hFE linearity High hFE Low noise Small package Complementary to 2SA1163 描述与应用| NPN硅外延晶体管 音频通用放大器应用 特点 高压 优秀HFE线性 高HFE 低噪音 小型封装 互补2SA1163
Toshiba（东芝）
4 页 / 0.62 MByte
Toshiba（东芝）
4 页 / 0.2 MByte
Toshiba（东芝）
2SC2713-BL NPN三极管 120V 100mA/0.1A 100MHz 350~700 300mV/0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 DL 音频通用放大器
Toshiba（东芝）
2SC2713-GR NPN三极管 120V 100mA/0.1A 100MHz 200~400 300mV/0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 DG 音频通用放大器
Toshiba（东芝）
三极管(BJT) 2SC2713-GR(TE85L,F SOT-23
Toshiba（东芝）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
