2SC3233 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 500V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 8~20 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1V 耗散功率PcPower Dissipation | 1W Description & Applications | NPN Silicon Triple Diffused.

●Features.

●Excellent Switching Times.

●tr=1.0us (Max.) tf=1.0us (Max.) at IC=0.8A.

●High colletor Breakdown Voltage: VCEO=400V. 描述与应用 | NPN硅三重扩散。

●特点。

●出色的开关时间。

● TR =1.0us（最大）TF =1.0us（最大）在IC=0.8A。

●的高colletor击穿电压：VCEO= 400V。