| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 增益 | 11.5 dB |
| 最小电流放大倍数 | 50 @20mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 材质 | Silicon |
| 高度 | 1.3 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
California Eastern Laboratories
9 页 / 1.6 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte
NEC（日本电气）
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
Renesas Electronics（瑞萨电子）
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Micro Commercial Components（美微科）
Renesas Electronics（瑞萨电子）
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics（瑞萨电子）
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
California Eastern Laboratories
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
