类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-243 |
功耗 | 1200 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
增益 | 10 dB |
最小电流放大倍数 | 50 @20mA, 10V |
额定功率(Max) | 1.2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1200 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
California Eastern Laboratories
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Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
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