类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 11.0 V |
额定电流 | 50.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 200 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 11 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 56 @5mA, 10V |
额定功率(Max) | 200 mW |
直流电流增益(hFE) | 56 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高频放大器晶体管( 11V , 50mA时为3.2GHz ) High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SC3838KT146N 单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 82~180 500mV SOT-23 代码 ADP 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~120 500mV SOT-23 代码 ADN 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~180 500mV SOT-23 代码 ADQ 高频晶体管放大器
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