集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 21V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 3.2GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 56~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) High transition frequency(fT= 1.5GHz) Small NF 描述与应用 | 高频晶体管放大器（11V，50mA，3.2GHz） 高转换频率（FT =1.5GHz） 小NF
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
高频放大器晶体管（ 11V ， 50mA时为3.2GHz ） High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM 2SC3838KT146N 单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 82~180 500mV SOT-23 代码 ADP 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~120 500mV SOT-23 代码 ADN 高频晶体管放大器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 21V 50mA 3.2GHz 56~180 500mV SOT-23 代码 ADQ 高频晶体管放大器
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