类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 120 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-126-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 1.5 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 160 V |
最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 5V |
最大电流放大倍数 | 400 |
额定功率(Max) | 1.5 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 8 mm |
宽度 | 3.3 mm |
高度 | 11 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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