类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-323 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 0.15A |
最小电流放大倍数 | 120 |
最大电流放大倍数 | 390 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| General purpose transistor Low Cob Cob=2.0pF 描述与应用| 通用晶体管 低COB Cob=2.0pF
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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CJ(长电科技)
NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=180~390,丝印BR
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SC4081 NPN三极管 60V 150mA/0.15A 180MHz 400mV/0.4V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 BE
Micro Commercial Components(美微科)
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