类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 25.0 V |
额定电流 | 50.0 mA |
封装 | SOT-323 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 270~560 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-voltage Amplifier Transistor High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S 描述与应用 | 高电压晶体管放大器 高击穿电压(BVCEO= 120V) 与2SA1579/2SA1514K/2SA1038S互补
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SC4102T106R 单晶体管 双极, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 25V 50MA
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NPN三极管 120V 50mA 140MHz 180~390 500mV SOT-323 代码 TR 高电压晶体管放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 120V 50mA 140MHz 270~560 500mV SOT-323 代码 TS 高电压晶体管放大器
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