2SC4173 数据手册 - NEC（日本电气）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 75~150 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING NPN Silicon Epitaxial transistor High Gain Bandwidth Product Complementary to 2SA1608 描述与应用| 高频放大器和开关 NPN硅外延晶体管 高增益带宽产品 与2SA1608互补