类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SC-75-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 125 mW |
增益频宽积 | 180 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 0.1A |
最小电流放大倍数 | 120 |
最大电流放大倍数 | 560 |
额定功率(Max) | 125 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 1.6 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~560 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 125mW/0.125W Description & Applications| NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT Pb−Free Package is Available Reduces Board Space High hFE, 210−460 Low VCE(sat) 描述与应用| NPN通用 放大器晶体管 表面贴装 无铅包装可用 缩小板级空间 高HFE,210-460 低VCE(sat)
ON Semiconductor(安森美)
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