| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 120 |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | General purpose transistor Low Cob Cob=2.0pF Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 通用晶体管 低COB COB=2.0PF 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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