| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 6 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 最小电流放大倍数 | 180 |
| 最大电流放大倍数 | 560 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 12V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 6V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 800MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| <300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features •High frequency amplifier transistor,RF switching (6V, 50mA) •Very low output-on resistance (Ron). •Low capacitance. 描述与应用| 特点 •高频晶体管放大器，RF开关（6V，50毫安） •非常低的输出电阻（Ron） •低电容。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
