| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 500 mW |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Features •Medium power transistor (50V, 1A) •Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.12V at IC/IB=500mA/50mA •PC=2W (on 40×40×0.7mm ceramic board) •Complements the 2SA1900 描述与应用| 特点 •中等功率晶体管（50V，1A） •低饱和电压，通常VCE（星期六）=0.12V IC / IB=500mA/50mA •PC= 2W（40×40×0.7毫米的陶瓷板） •补充2SA1900
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
中等功率晶体管（ 50V ， 1A ） Medium power transistor (50V, 1A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM 2SC5053T100R 单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 150 MHz, 500 mW, 1 A, 120 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 60V 1A 150MHz 120~270 400mV SOT-893 代码 CGQ
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 60V 1A 150MHz 180~390 400mV SOT-893 代码 CGR
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