集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 30mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 7GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 5V 耗散功率PcPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| Features •Silicon NPN epitaxial planar type •VHL ~ UHF band low noise amplifier application •Low noise figure High gain •NF=1.1db |S21e|
●2=12db 描述与应用| 特点 •NPN硅外延平面型 •VHL〜UHF频段低噪声放大器的应用 •低噪声系数高增益 •NF=1.1分贝| S21E|
● 2 =12分贝
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2SC5066-O NPN三极管 20V 30mA 7GHz 80~160 5V SOT-523/SSM marking/标记 M1 VHL?UHF频段低噪声放大器
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射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 100mW 12dB 7GHz
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2SC5066-Y NPN三极管 20V 30mA 7GHz 120~240 5V SOT-523/SSM marking/标记 M2 VHL?UHF频段低噪声放大器
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2SC5066FTY NPN三极管 20V 30mA 7GHz 80~240 5V SOT-623/TESM marking/标记 M2 VHL?UHF频段低噪声放大器
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