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2SC5200N(S1,E,S)
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2SC5200N(S1,E,S) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3-3
描述:NPN 功率晶体管，Toshiba### 双极晶体管，Toshiba
PDF文件:2SC5200N(S1,E,S) 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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2SC5200N(S1,E,S) 数据手册 (6 页)
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2SC5200N(S1,E,S) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率30 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
极性NPN
功耗150 W
击穿电压(集电极-发射极)230 V
集电极最大允许电流15A
最小电流放大倍数35
最大电流放大倍数160
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 W
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2SC5200N(S1,E,S) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度15.5 mm
宽度4.5 mm
高度20 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2SC5200N(S1,E,S) 数据手册

2SC5200N(S1,E,S) 数据手册
Toshiba（东芝）
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