类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 30 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-264-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 150 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
最小电流放大倍数 | 80 @1A, 5V |
额定功率(Max) | 150 W |
直流电流增益(hFE) | 80 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -50 ℃ |
耗散功率(Max) | 150000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 20 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 26 mm |
工作温度 | -50℃ ~ 150℃ (TJ) |
功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Micro Commercial Components(美微科)
Toshiba(东芝)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2SC5200OTU 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 150 W, 17 A, 80 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 2SC5200OTU , NPN 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Toshiba(东芝)
NPN 功率晶体管,Toshiba### 双极晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
NPN 功率晶体管,Toshiba### 双极晶体管,Toshiba
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