| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 230 V |
| 额定电流 | 15.0 A |
| 封装 | TO-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 130 W |
| 增益频宽积 | 30 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 230 V |
| 集电极最大允许电流 | 15A |
| 最小电流放大倍数 | 80 |
| 最大电流放大倍数 | 160 |
| 额定功率(Max) | 130 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 20 mm |
| 宽度 | 15.9 mm |
| 高度 | 4.8 mm |
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 130 W, 17 A, 80 hFE
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