| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 130 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
| 最小电流放大倍数 | 80 @1A, 5V |
| 额定功率(Max) | 130 W |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -50 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 130000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30MHz 通孔 TO-3P
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 130 W, 17 A, 80 hFE
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