集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 400V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA
●截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 80~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.4~1V
●耗散功率PcPower Dissipation |
●Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications.
●High breakdown voltage : VCEO = 400 V.
● Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA).
●描述与应用 | 东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。
●高击穿电压：VCEO=400 V
●低集电极 - 发射极饱和电压 ：VCE（星期六）= 0.4V（典型值）（IC= 20 mA时，IB=0.5毫安）。
