| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 270 |
| 最大电流放大倍数 | 680 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 320MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 90mV 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Low Frequency Transistor The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes. Features 1) High current. 2) Low VCE(sat). VCE(sat) ≤ 250mV at IC=200mA/IB=10mA 3) Flat lead Structure switching muting 描述与应用| 低频晶体管 晶体管为500mA类只进了2125尺寸达到传统1608尺寸。 特点 1）高电流。 2）低VCE（sat）的。 VCE（sat）的≤250mV的 在IC=200mA/IB大于10mA 3）扁平引脚 结构 交换 静音
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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