集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| <400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| General purpose transistor Features 1) Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 通用晶体管 特点 1）低COB。 COB=2.0PF 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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三极管(BJT) 2SC5658T2LS VMT-3
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通用晶体管特点1）低COB。COB=2.0PF结构外延平面型NPN硅晶体管
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NPN三极管 60V 150mA 180MHz 120~270 <400mV TO-263代码 BQ
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NPN三极管 60V 150mA 180MHz 270~560 <400mV TO-263代码 BS
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