| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-723 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~240 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Transistor Silicon NPN Epitaxial Type General-Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120~400 描述与应用| 晶体管的硅NPN外延型 通用放大器应用 •高电压和高电流 VCEO=50 V，IC=150 mA（最大） •优秀的HFE线性： HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）= 0.95 •高HFE：HFE=120〜400
Toshiba（东芝）
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2SC6026MFV-Y NPN三极管 60V 150mA/0.15A 60MHz 120~240 100mV/0.1V S0T-723/VESM marking/标记 HY 通用放大器
Toshiba（东芝）
2SC6026MFV-GR NPN三极管 60V 150mA/0.15A 60MHz 200~400 100mV/0.1V S0T-723/VESM marking/标记 HG 通用放大器
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V
Toshiba（东芝）
2SC6026CT-Y NPN三极管 60V 150mA/0.15A 60MHz 120~240 100mV/0.1V CST3 marking/标记 7F 通用放大
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