| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 140mV/0.14V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications ・High-DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) ・Low-collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.14 V (max) ・High-speed switching: tf = 0.2 μs (typ) 描述与应用| 晶体管的硅NPN外延型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 ·高直流电流增益：HFE=120〜300（IC= 0.1 A） ·低集电极 - 发射极饱和：VCE（饱和）= 0.14 V（最大值） ·高速开关：TF=0.2微秒
Toshiba（东芝）
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