| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 800 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 800V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 800V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 15MHZ 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 15 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1V 耗散功率PcPower Dissipation | 1W Description & Applications | High voltage increase 描述与应用 | 高电压增幅
Toshiba（东芝）
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