类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | 135AB |
极性 | NPN |
功耗 | 1000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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