| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 120 |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| medium power transistor feature
● high current.(Ic=5A)
●low saturation voltage. typically VCE(sat)=0.1V at Ic/Ib=150mA/15mA 描述与应用| 中等功率晶体管 特点
●高电流（IC=5A）。
●低饱和电压。通常VCE（饱和）= 0.1V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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NPN 小信号晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM Semiconductor
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2SD1484K NPN三极管 50V 500mA/0.5A 250MHz 180~390 400mV/0.4V SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 YR 中等功率晶体管
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NPN三极管 50V 500mA 250MHz 180~390 400mV SOT-23 代码 YR 中等功率晶体管
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NPN三极管 50V 500mA 250MHz 120~270 400mV SOT-23 代码 YQ 中等功率晶体管
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