| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-89 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • World Standard Miniature Package • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.2 V • high DC current Gain ：HFE135 to 600 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 POWER迷你模具 说明 2SD1615，1615A音频功放和开关应用而设计的，特别是 混合集成电路。 特点 •世界标准小型封装 •低VCE（sat）的VCE（饱和）=0.2 V •高直流增益：HFE135600
NEC（日本电气）
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