2SD1623 数据手册 - Mitsubishi（三菱）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type darlington high current switching amplification Features

● large current capacity and wide ASO

● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

● fast switch speed

● adoption of FBET，MBIT processes 描述与应用| NPN硅外延平面型达林顿 高电流开关放大 特点

●大电流容量，广ASO

●低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）

●开关速度快

●采用的FBET，MBIT进程