集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor (32V, 1A) Features
●Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical). (IC /IB = 500mA/50mA)
● Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 中等功率晶体管（32V，1A） 特点
●低VCE（sat）的，VCE（饱和）=0.15V。 （IC / IB500mA/50mA）
●补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.11 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
中等功率晶体管（ 32V ， 1A ） Medium Power Transistor (32V, 1A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1664 系列 32 V 1 A 表面贴装 NPN 中等功率晶体管 - MPT-3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1664 系列 32 V 1 A 2 W 表面贴装 中等功率 晶体管 - MPT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 40V 1A 150MHz 120~270 150mVSOT-893 代码 DAQ
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 40V 1A 150MHz 180~390 150mVSOT-893 代码 DAR
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
