集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| features
● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点
●低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1760 NPN三极管 60V 3A 90MHz 120~270 500mV/0.5V TO-252/CPT3 marking/标记 D1760Q
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
功率晶体管（ 50V ， 3A ） Power Transistor (50V, 3A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
外延平面型硅NPN晶体管 Epitaxial planar type NPN silicon transistor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1760TRP NPN三极管 60V 3A 90MHz 82~180 500mV/0.5V TO-252/CPT3 marking/标记 D1760
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