集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 800mA/0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features
● Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA）
● High current capacity in compact package.
● Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点
●非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA）
●高电流容量，在紧凑的封装。
●补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.09 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN 功率晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
中等功率晶体管（ 32V ， 0.8A ） Medium Power Transistor (32V, 0.8A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 40V 800mA 150MHz 180~390 100mV SOT-23 代码 AFR
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN三极管 40V 800mA 150MHz 120~270 100mV SOT-23 代码 AFQ
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
