集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | Features
● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA)
● High VCEO, VCEO = 80V Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 特点
●低VCE（sat）的。 VCE（饱和）=0.2V （IC / IB= 0.5A/50MA）
●高VCEO VCEO=80V 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN 小信号晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM 2SD1782KT146Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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NPN三极管 80V 500mA 180MHz 180~390 200mV SOT-23 代码 AJR
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